# Ion Implantation
- 離子佈植。
- 原理與質譜儀(利用電場加速＋磁場轉彎以得到固定荷質比的離子來植入晶片)一樣，只差在加速能量較大。
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- 打離子進去後，要維持電中性。因此佈值後會再電漿方式將等量的電子植入。
- 早期MG沒有離子佈值方法，用光罩＋擴散方式，會有misaligned問題(兩邊擴散不對稱)
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- 離子佈值會造成晶體損傷，包含兩種阻滯機制。S~total~ = S~n~ + S~e~
- ==nuclear stopping (S~n~)：原子核阻滯。==
- ==electronic stopping (S~e~)：電子阻滯。== 一個離子質量遠比電子高，因此與nuclear stopping相比，其阻滯機制小很多。==如果沒(或少)受到原子核阻滯，將會造成通道效應(implantation channeling effect)，使得佈值深度超出預期。可以透過7度傾斜晶圓或長screen oxide減緩。==
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- ==隨元件越做越小，淺接面離子佈值的需求上升。其方法有兩種，選擇較重的原子，或是長screen oxide(穿透深度對Si與SiO~2~非常接近)。其中screen oxide好處有減少通道效應、微調佈值深度與防止基板與光阻接觸造成污染。==
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- ==原子序越小(越輕的原子)打越深(相同能量keV佈值深度較深)==，因為比較重比較大顆的原子更容易產生原子核阻滯。
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- 擴散函數是error function，表面比較濃；離子佈值是高斯分布，其中佈值深度(R~p~)最重要，打過深恐直接破壞元件。
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- 透過旋轉晶圓可以避免shadowing effect。
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- 透過快速熱退火(RTA)將晶格修復與活化使dopant佔據晶格點位置(原本的Si會變成interstitial Si間隙離子)。
- 為什麼使用快速熱退火？避免擴散超出預期(從瘦高斯變成胖高斯)。
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