# Thermal Process
- 熱製程。
- 早期為水平爐管(晶片垂直擺放)。
- 現在主流垂直爐管(受熱均勻加上晶片水平擺放，使得加熱反應均勻)。
- ==氧化(oxidation)、擴散(diffusion)、沉積(deposition)、退火(anneal)都會使用到熱製程。==

## oxidation
- 矽與氧反應。
- 廣泛使用在IC製造上。
- ==分成dry oxidation(乾式氧化法)與wet oxidation(濕式氧化法)。乾式相對濕式品質好但反應速度慢==，因此要長很厚的Ox通常使用濕式。
- 長100Å的SiO~2~會消耗45Å的c-Si(single crystal Si)；在poly-Si上長100Å的SiO~2~會消耗100Å的poly-Si。
- 乾式: Si + O~2~ → SiO~2~
- 濕式: Si + H~2~O → SiO~2~
- 其應用包含：diffusion masking layer(如擋住doping), surface passivation(screen oxide, sacrificial oxide, pad oxide, barrier oxide), device isolation(如LOCOS process中長SiO~2~)
- screen oxide(遮蔽氧化層)：可以避免在離子佈值時，有些離子會不經過任何矽原子(因為矽為單晶，在TEM下會看到晶格間有通道)，而超出預期佈值深度。SiO~2~為非晶矽，因此離子打下去就會散射。
- pad oxide(墊氧化層), barrier oxide：如在STI時，長SiO~2~用以隔離與保護。
- sacrifical oxide(犧牲氧化層)：因為熱擴散、離子佈值等製程會傷害Si表面，透過再長一層SiO~2~，過程中同時把污染物或表面損傷包覆起來，後續拿掉SiO~2~就可以得到平整狀態。
## diffusion
- n/p-type doping：早期以摻雜B~2~H~6~加反應氣體，透過加熱製程達到p-type doping；n-type則摻雜PH~3~或AsH~3~。

## deposition
- 如用LPCVD長SiO~2~或SiN。

## anneal
- 純粹加熱製程。