# Etching
- 分成wet etching(濕式蝕刻)、dry etching(乾式蝕刻)、RIE(反應性離子蝕刻)
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- 化學蝕刻的選擇比(selectivity)最高，但為等向性(isotropic)蝕刻，不適用於小尺寸上(<3㎛)，因為etch bias會更顯著。
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## Wet Etching
- 化學蝕刻。
- 使用酸鹼溶液化學反應進行蝕刻。
- 光阻顯影亦為濕式蝕刻。
- ==為等向性(isotropic)蝕刻，不適合用在patterning。主要拿來用於整片clean，例如去oxide、去光阻==

## Dry Etching
- 物理蝕刻。
- 利用電漿產生高活化高蝕刻氣體進行蝕刻。

## RIE
- Reactive Iron Etch
- 為物理蝕刻與化學蝕刻的綜合體。
- 電漿製程。
- ==為非等向性(anisotropic)，適用於patterned etch。==
- 實驗原理：純的反應性氣體去蝕 &rarr; Ar^+^重離子打在蝕刻表面上後再用電漿去反應 &rarr; 達到蝕刻終止層後關閉電漿後，再用Ar^+^過蝕刻(overetching)。此圖為例：reactive為氟(F)、iron為氬(Ar)。
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- 蝕刻流程：產生蝕刻種類 &rarr; 擴散至表面 &rarr; 吸收 &rarr; 反應(其中byproduct是要可以揮發的) &rarr; 副產物揮發 &rarr; 最後由平行氣流帶走。
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