# Tech Node vs. Lg - Moore's Law：每24個月，IC上可容納電晶體數量會倍增。 - 早起半導體由Intel所佔據。到2007年45nm突破用HKMG取代SiO~2~；到2011年22nm使用Tri-Gate(現在俗稱的finFET)開始結束平面式的設計，以解決底層漏電太大。==到FinFET時代，14nm的14不再是gate length (Lg)，而是技術節點，但元件密度還是增加。== - Lg有公認的極限值10nm。==當Lg<7nm，會產生穿遂效應(direct tunneling)，影響電壓控制電子的開關== - 晶片電阻。透過參雜濃度調整電阻值。與插在麵包版上很多顏色的分離式電阻不同。 - 晶片電容。MOSFET即為一個電容。是電荷儲存的元件，也可以當作記憶體的元件(DRAM, FLASH等)。透過使用HK材料或增加截面積提高電容值。