# Vapor Deposition (VD)
- 分成CVD(化學Chemical)與PVD(物理Physical)
- ==沉積金屬方式有CVD與PVD。至FinFET時代，因PVD無法做到很小的尺寸，多用CVD中的ALD。==

## CVD
- 將反應氣體進行化學反應，使其在晶圓上形成薄膜。如同RIE的逆反應。
- 主流三種：LPCVD、PECVD、ALD
- 長SiO~2~為例，CVD與熱氧化(thermal growth)的差別是否消耗Si本身。
-
|CVD|熱氧化|
|-|-|
|==不消耗c-Si==|消耗 45% c-Si <br> 與 100% poly-Si|
- ==考慮到避免傷到MOS且熱預算太高，後段製程使用CVD==；前段如GOX、screen oxide皆使用熱氧化處理。
- 可以長半導體如Si(多晶poly、磊晶epi)、介電質如SiO~2~、SiN、金屬導體如W(Tungsten)、TiN、Ti。

### LPCVD
- Low Pressure CVD (低壓)
- 相較常壓的APCVD，因為常壓包含很多氧氣氮氣，而LPCVD要抽真空，因此沉積薄膜品質LPCVD>APCVD。

### PECVD
- 電漿產生自由基(radical)增加反應速率，因此CVD很快，但沉積品質PECVD<LPCVD。
- ==用於金屬之間的介電層==，因為越後段製程其沉積的膜越厚，且遠離半導體層。

### ALD
- Atomic Layer Deposition
- ==用於前段製程，如HK、MG。==
- 利用前驅物的自限性(saturative, self-limiting)，使其可以一層層堆疊。
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- AX~n~ + BX~n~ &rarr; AB + XY。
- A的前驅物AX~n~、B的前驅物BX~n~、XY可揮發氣體。
- 其逆反應為ALE(etching)。

## PVD
- 分為sputter(濺鍍)與evaporator(蒸鍍)

### sputter
- 用Ar電漿去打金屬讓其沉積再在晶片上。
- 有多腔體的濺鍍。例如要沉積TiAl，則在濺鍍機兩端分別放Ti與Al使他們共濺鍍，形成金屬複合體(合金)。
- ==W只能用CVD、Cu只能電鍍，皆無濺鍍。==
- 不需化學反應，比CVD快。
- 可以直接在室溫操作。

### evaporator
- for OLED(為有機材料不能濺鍍)