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title: 4.1介紹並複習MOS管

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這章主要在複習mos管公式



**1. 常見公式:**
* Staturation region:
    Vgs>=Vt
    Vds>=Vgs-Vt
    ![image](https://hackmd.io/_uploads/HykiPuHxC.png)
    w和l在設計MOS管時就已經設計好，通常設計的是w，l由IC製程決定。
    M為載流子飄移濃度，Mn為Mp兩倍。
    Cox為gate oxidec厚度，通常是二氧化矽。
    除了Vgs和id，其餘在使用時皆為常數，因此MOS管可以當作壓控電流源(BJT是流控電流源)
    
    
* Linear region:
    Vgs>=Vt
    VDS<Vgs-Vt
    ![image](https://hackmd.io/_uploads/B1g2F_BeR.png)
    同樣是壓控電流源，但是需同時操控Vds和Vgs以控制id。

**2. 控制放大倍率:**
原因:通過負反饋，只需控制反饋增益，就能進行放大控制
可通過多級放大器來控制負反饋增益
        

* 求Id/Vgs關係(放大倍數)
關係圖如下所示
![image](https://hackmd.io/_uploads/rJE-JtBeC.png)
斜率為兩者關係，對其進行偏微分(小信號)，可得到下列式子(交流電流):
![image](https://hackmd.io/_uploads/HJR20OSgR.png)
beta 為(vgs-vt)前半部分。

* 一個mos管的gm實際上是很小的
![image](https://hackmd.io/_uploads/B1DmEtrxC.png)
    需透過電阻讓電壓達到放大之功能

**3.使用MOS管當作電阻在飽和區(比較好集成?)** 
* 為計算MOS管電阻值公式，需考慮Vds和Id關係:
![image](https://hackmd.io/_uploads/r1ozBYHgC.png)
![image](https://hackmd.io/_uploads/BkIt8tBlR.png)

* 透過上述公式計算出阻值:
![image](https://hackmd.io/_uploads/rJMywtrx0.png)
    浪打為溝道長度調製係數，I為直流電流。
    溝道長度調製係數通常很小，因此阻值非常大。
               
**4.使用MOS管當作電阻在線性區**
* 公式如下
![image](https://hackmd.io/_uploads/Hku1tKrg0.png)
通過調整w/l影響電阻值
               
實際計算還是通過Hspice進行仿真
               
![image](https://hackmd.io/_uploads/Byi0ctHlR.png)

    
               
               
               

               
    
    
    