這章主要在複習mos管公式

**1. 常見公式:**
* Staturation region:
Vgs>=Vt
Vds>=Vgs-Vt
w和l在設計MOS管時就已經設計好，通常設計的是w，l由IC製程決定。
M為載流子飄移濃度，Mn為Mp兩倍。
Cox為gate oxidec厚度，通常是二氧化矽。
除了Vgs和id，其餘在使用時皆為常數，因此MOS管可以當作壓控電流源(BJT是流控電流源)

* Linear region:
Vgs>=Vt
VDS<Vgs-Vt
同樣是壓控電流源，但是需同時操控Vds和Vgs以控制id。

**2. 控制放大倍率:**
原因:通過負反饋，只需控制反饋增益，就能進行放大控制
可通過多級放大器來控制負反饋增益

* 求Id/Vgs關係(放大倍數)
關係圖如下所示
斜率為兩者關係，對其進行偏微分(小信號)，可得到下列式子(交流電流):
beta 為(vgs-vt)前半部分。

* 一個mos管的gm實際上是很小的
需透過電阻讓電壓達到放大之功能

**3.使用MOS管當作電阻在飽和區(比較好集成?)**
* 為計算MOS管電阻值公式，需考慮Vds和Id關係:

* 透過上述公式計算出阻值:
浪打為溝道長度調製係數，I為直流電流。
溝道長度調製係數通常很小，因此阻值非常大。

**4.使用MOS管當作電阻在線性區**
* 公式如下
通過調整w/l影響電阻值

實際計算還是通過Hspice進行仿真