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tags: Storge , DRAM
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# [Dynamic Random Access Memory (DRAM)](https://hackmd.io/@TsenEN/HyPN267uw) Part 1: Memory Cell Arrays

* [影片連接](https://reurl.cc/GVzv5W)
* [影片字幕](https://hackmd.io/@TsenEN/r1rNwJjWD)

Transistor 分三閘 Source源極 Gate閘極 Drain汲極
<img style="display:block; margin:auto;" src="https://i.imgur.com/2Y42D9Y.jpg" ></img>

對 Soruce 加電壓會無法導通
<img style="display:block; margin:auto;" src="https://i.imgur.com/PaZHgIo.jpg" ></img>

對 Gate 加電壓，電流可以由 Soruce 通到 Drain
<img style="display:block; margin:auto;" src="https://i.imgur.com/wv3E6Yl.jpg" ></img>

形成存儲單元還需要接上電容器
<img style="display:block; margin:auto;" src="https://i.imgur.com/zLJcZ0y.jpg" ></img>

* 電容器類似於電池但他們是有差別的
小整理：
| | 電容 | 電池 |
|:------------:|:----------------------------------------------------------:|:----------------:|
| 電的儲存方式 | 電能 | 化學能 |
| 充放電速度 | 需數秒或數分鐘 | 需要數小時 |
| 充放電次數 | 數萬至數億次 | 幾百上千次 |
| 用途 | 偶合、退偶、濾波、移相、諧振和用做瞬間大電流放電的儲能元件 | 電源、穩壓、濾波 |

電容單位"法拉(farad's)"

## 小結
* 為了讀資料所以有 Sence Amplifier

* Sence Amplifier 會切割出兩大區
* <img style="display:block; margin:auto;" src="https://i.imgur.com/wL8UhL8.jpg" ></img>

* 要讀某一 cell data 就要讀一整 row 出來

* 每次讀取 DRAM cell 都會破壞原本 row 的 data ，所以每次讀完都要多一個寫回去的動作\

* 基本上每 64 ns 就會讀出資料並寫回去，來維護 data
## 讀取操作
1. 每條 bit line 要充電至 DRAM 所提供的一半電壓
2. Word line 開始導通因為它連接所有電晶體的 Gate
3. 因為 bit line 上存在電壓，原本為1的 cell 會將電壓釋放給 bit line ， 反之 0 的 cell
這樣 bit line 會有電壓升降，雖然只有些微的電壓變化但足以讓 sence amplifier 偵測