---
# System prepended metadata

title: 卒業研究経過報告(Eチーム)#21

---

# 卒業研究経過報告(Eチーム)#21
メンバー：鈴木, 堀
[前回のメモ](https://hackmd.io/f2eC8HFRRpqYvW3LsiND8w?edit)

## 今回やること
[先生のメモ](https://hackmd.io/@okuisatoshi/H1Z5QkTUY)

①前回の実験を抵抗の種類をもう少し増やしておこなう。
また、5％の計算をもう一度しなおす。

②先生のメモを参考に、ブロックの識別が出来るかを確認する。
## 実験
①先週と同様に先生のメモにそって計測を行う。
前回の実験を抵抗の種類をもう少し増やしておこなう。
また、5％の計算をもう一度しなおす。

## 結果
①
| R_?の公称値（テスタでの実測値）[Ω]|Vs[V] |R_?の計算値[Ω] (5%)|差［Ω］| 誤差5%以内  |
| ---- | ---- | ----- | ----- | ---- |
|100k(100.1k)|0.013|127470|27k|No|
|20k(19740)|0.074|21910|2.2k|No|
|10k(9960)|0.160|9892|-68|Yes|
|7500(7400)|0.203|7614||Yes|
|6800(6750)|0.228|6764|-14|Yes|
|2200(2160)|0.607|2169|9|Yes|
|1500(1479)|0.804|1491.9|13|Yes|
|1000(993)|1.025|1038|45|Yes|
|820(810)|1.155|855(850)||NO(惜しい)|
|510(506)|1.482|537(531)|31|No(惜しい)|
|220(217)|1.977|250(227)|38|No|

ダイオード抵抗　0.696V

## 考察

①
5%の計算をし直してみたが、510ΩからNoという結果になった。
このことからやはり小さい抵抗は誤差が大きくなってしまうということが分かった。
また、以前ダイオードを図ったら数値が0.4V程度になったといっていたがもう一度図りなおすと0.696Vと、先生の言うとおり0.7V周辺という結果になった。


## 実験
②
基準抵抗を510Ωとし、マルチプレクサ一つ分のon抵抗(データシートより85Ωとする)を加味した場合で測定をする。マス目は一つで、マルチプレクサのA,B,CピンはGNDに繋いでローにし、0ピンのみに電流が流れるようにした状態で各抵抗を測定する。
## 結果
②

| R_?の抵抗公称値[Ω] | 平均値 | 最大値 | 最小値 | 計算値 | 電圧値[v] |
| -------- | -------- | -------- | -------- | -------- | -------- |
| 10000     | 48     | 48     | 48     | 60.87     | 0.16     |
|6800|69|69|69|82.31|0.23|
|2200|186|186|186|217.78|0.60|
|1500|246.6|247|246|290.54|0.79|
|510|446|456|437|550.85|1.46|
|220|608.2|609|608|746.85|1.96|
|180|642.8|643|642|765.64|2.06|
|100|717|717|717|875.81|2.30|
|47|785|785|785|948.11|2.52|

n番目とn+1番目の読み取り値の差は、

||読み取り値の差|
| -------- | -------- |
|10000～6800|21|
|6800～2200|117|
|2200～1500|60|
|1500～510|190|
|510～220|152|
|220～180|33|
|180～100|74|
|100～47|68|

となった。

## 考察
②
読み取り値の差は最小で21だった。先輩のコードや先生のメモより、これはブロック認識をするにあたって十分な差であることが分かる。ただしVccの変化の影響は依然として存在するので、キャリブレーションは必要であると考えた。
## 参考資料
[TC74HC4051APデータシート](https://www.chip1stop.com/pdf/product/TOSH/TC74HC4051AF_TC74HC4053AP_JA_DATASHEET_071001.PDF)