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title: Everspin推出首款具有500倍快閃記憶體性能的ST-MRAM記憶體
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# Everspin推出首款具有500倍快閃記憶體性能的ST-MRAM記憶體
>當前的DIMM容量為64MB
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[由Lucas Mearian發表](https://www.computerworld.com/author/Lucas-Mearian/) | Senior Reporter, Computerworld | NOV 12, 2012 2:02 PM PST
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Everspin科技今天宣布了號稱業界第一個[自旋磁阻的隨機存取記憶體](https://www.everspin.com/spinTorqueMRAM.php)（ST-MRAM）芯片，該芯片可替代非易失性DRAM子系統。

Everspin說，在近期新的記憶體類型的目標非取代易失性的DRAM。

Everspin的發言人在對Computerworld的電子郵件回覆中寫道，ST-MRAM“為系統設計人員提供了一種新的存儲類記憶體工具，該工具可以輔助而非取代DRAM或NAND。系統設計人員對其持久性和高耐用性的存儲或記憶體性能的好處感到興奮， 並將64Mbit的密度用於存儲應用中的緩衝和快取記憶體以及許多工業應用中的主記憶體。Everspin在未來的ST-MRAM藍圖中計劃擴大密度和性能，並同時降低成本。”

[相關資料：Meet Project Honolulu, Microsoft’s new Windows Server management GUI](https://www.computerworld.com/article/3235616/meet-project-honolulu-microsoft-s-new-windows-server-management-gui.html)

新的記憶體類型擁有NAND快閃記憶體近500倍的速度，卻具有DRAM的耐久性。產業分析師將ST-MRAM視為NAND快閃記憶體的輔助技術，NAND快閃記憶體用於製造固態硬碟（SSDs）。

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Everspin認為ST-MRAM可用作SSD的緩衝記憶體，用於I/O和網絡快取，以及超快速[存儲](https://www.computerworld.com/s/topic/19/Storage)層，因為一些DRAM製造商現今正在使用他們的產品。

Gartner研究副總裁Joseph Unsworth表示：“據我所知，Everspin在這方面是首創的，我們對於結合ST-MRAM與NAND用在[數據中心](https://www.computerworld.com/category/data-center/)存儲應用中非常感興趣。”

64Mbit芯片是Everspin的ST-MRAM藍圖中的第一款。該公司表示，計劃以更快的速度擴展到千兆位元密度的記憶體。 Everspin正在向系統製造商提供其第一款芯片-EMD3D064M 64Mb DDR3 ST-MRAM-的樣品。當前的雙線記憶體模組（DIMM）具有64MB的容量，包括糾錯碼。

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IDC固態存儲(SSS)研究主管Jeff Janukowicz表示，隨著存儲技術擴展到較小的加工形態時，在取得性能、功耗和可靠性之間的平衡，存儲技術面臨著巨大的挑戰。

Everspin的64Mb ST-MRAM芯片在功能上與具工業標準JEDEC規格的DDR3介面兼容，其每I/O每秒可提供高達16億次傳輸，轉換為高達3.2GB/秒的記憶體頻寬，具有奈秒級的延遲。該產品採用工業標準的窗球柵陣列（WBGA）封裝-與DDR3標準相同。

根據Everspin的說法，與使用80毫瓦功率的64Gbit NAND快閃記憶體芯片相比，使用1Gbit的MRAM芯片將消耗400毫瓦的功率。

雖然尚未發布新ST-MRAM芯片的建議售價，但Everspin表示其大約比NAND快閃記憶體貴50倍左右，這意味著它不能用作大規模的存儲設備。但是，就性能而言，與具有每秒800次隨機讀寫次數的NAND快閃記憶體相比，ST-MRAM可以使用四千個資料區塊產生每秒40萬次隨機寫入I/O次數（IOPS）。
Everspin發言人寫道：“預計未來5年內，每GB ST-MRAM的價格將從SRAM的價格降低到DRAM的價格。” “ 64Mb ST-MRAM要求更高的穩定性，並需要在非易失性記憶體中提高DDR3速度的性能，這提供了非常好的價值。接著，積極的擴展和體積增長將使成本降低。”
ST-MRAM與相變存儲器和憶阻器一起成為新的低延遲、非易失性的存儲器。
Everspin表示，64Mb密度的MRAM芯片是固態的，RAID存儲系統以及存儲設備中的非易失性緩沖和緩存提供了理想的入口。該64Mb裝置將補足現有的低成本存儲技術，從而降低整體系統成本和復雜性。
Unsworth說：“這項技術的商業化是重要的行業里程碑，應該繼續推動擴展SSD在數據中心和計算機記憶體架構。”
新型ST-MRAM晶片有一個潛在用途是雲端存儲，隨著越來越多的公司提供商用服務於大數據存儲，需要更快的數據訪問。
Everspin專有的自旋扭轉技術使用自旋極化電流進行開和關。數據以磁化相對於電荷的形式存儲，提供了不會與NAND快存技術磨損或數據保留問題的非易失性存儲。
Everspin Technologies首席執行官Phil LoPresti在一份聲明中表示：“我們正在與精選的客戶合作，使他們能夠更快地評估和利用自旋扭轉技術技術，並收集反饋意見，這將幫助我們最終確定64Mb DDR3 ST-MRAM的生產。”。
Everspin正在其位於亞利桑那州錢德勒的200毫米晶圓生產線上製造ST-MRAM，並與其他製造商合作建立300mm MRAM工具和晶圓廠。
ST-MRAM芯片將於2013年全面提供給有系統的製造商。此外，Everspin還提供給行業標準配備的ST-MRAM非易失性隨機存取記憶體模塊。還提供PCIe FPGA平台，使客戶可以開始設計。

###### SOURCE:https://www.computerworld.com/article/2493603/everspin-ships-first-st-mram-memory-with-500x-performance-of-flash.html