--- title: PWSM FOC 開發版學習資料 tags: 匠心科技-直流無刷電機STM32F4開發版 --- # 第一講 電路原理圖  可分為主控模塊、電源模塊、驅動模塊、訊號採集模塊。 ## 電源模塊 ### +15V 降壓 默認供電24V,降壓至15V給驅動模塊。 * P1、P2提供兩種供電接口。 * C5、C6、C7對母線電流做濾波。 * D1 蕭特基二極管(SBD)[防反接](https://blog.csdn.net/qq_34181877/article/details/123931861),SS310的10表示耐壓100V、3表示耐流3A。 * [XL7035](chrome-extension://oemmndcbldboiebfnladdacbdfmadadm/https://www.xlsemi.com/datasheet/XL7035-CN.pdf)為DC-DC降壓芯片,可透過分壓電阻R9、R11調節輸出電壓。 輸出電壓計算方式為 $$V_{o} = 1.23*(R9/R11+1)$$其中1.23為芯片內部參考電壓$V_{ref}$。 分壓電阻通常選K級,R太小耗能,太大使頻率響應差。 :::spoiler 參考電壓 `參考電壓通常由一種叫「帶隙基準電壓源(Bandgap Reference)」的電路產生,因矽材料能隙(1.2V)特性能產生與溫度無關的穩定電壓,作為電路反饋控制的依據。` ::: * 降壓芯片電壓輸出的反饋電路上,二極管通常用SBD。 L1值太大會降低芯片功率,太小會使紋波變大。 ### +5V * [XL2576](chrome-extension://oemmndcbldboiebfnladdacbdfmadadm/https://file2.dzsc.com/product/17/08/26/1116816_110253487.pdf)為DC-DC降壓芯片,輸出電壓不可調節,固定為5V。 ### +3.3V * [AMS1117](chrome-extension://oemmndcbldboiebfnladdacbdfmadadm/http://xn----ctbgeuhdtdb2b.xn--p1ai/cfiles/market/2932/1446015689.pdf)為低壓差線性穩壓器(LDO)。 選擇上雖然LDO能轉效率不如DC-DC,但紋波小,對MCU來說較好。 ## 訊號採集模塊 ### 編碼器採樣   * BLDC用不到編碼器,若要無感控制不用接HA、HB、HC。 * 只有PWSM需要編碼器,透過DB15接口,差分訊號透過轉接版轉至編碼器上。 * 編碼器5V供電,輸出亦為5V。後方電阻限流並接上電容,為簡單的RC濾波器。 ### 霍爾採樣 * 霍爾器5V供電。 * 霍爾訊號輸出只有1.5V,不利於芯片採集,所以上拉至3.3V,並做RC濾波。 ### 過零點採樣 & 三相電壓採樣 * UVW為反電動勢$V_{emf}$。 * 過零點採樣模塊和三中性點MITTEL,為無感控制須要。 * 過零點採樣因其訊號超前霍爾訊號30ms,故在電路中做延遲。 * 比較器[MCP6002](chrome-extension://oemmndcbldboiebfnladdacbdfmadadm/https://ww1.microchip.com/downloads/aemDocuments/documents/MSLD/ProductDocuments/DataSheets/MCP6001-1R-1U-2-4-1-MHz-Low-Power-Op-Amp-DS20001733L.pdf)對三相電壓和虛擬中性點電壓做比較。芯片品質好。 ### 逆變模塊 * NMOS用的是[英飛凌IRF540NS](chrome-extension://oemmndcbldboiebfnladdacbdfmadadm/https://datasheetspdf.com/download_new.php?id=1388305),耐壓100V,耐流33A,內阻低。 * 電阻對三相電流輸出做採樣。此選0.01ohm、1W的採樣電阻。根據:$$W=I^2 \cdot R$$ 可知支持最大電流為10A。 ### 電流採樣模塊 * 對驅動模塊採樣的電流放大。 * 選用的運放芯片[SGM8634](chrome-extension://oemmndcbldboiebfnladdacbdfmadadm/https://www.sg-micro.com/rect/assets/d8959afb-bbca-4d58-aba0-11276bf09bae/SGM8634.pdf),品質也是比較好的。 * U1A分壓電阻1.65V,是為把+-1.65拉至0~3.3V給MCU做採樣。 * U1B連接電路為正向放大,在輸入源並聯C3濾除共模干擾。 * U1B連接電路電流放大倍率$(3.3-1.65)/(0.01\cdot 10)= 16.5$。 ## 驅動模塊 * PWMxH、PWMxL為芯片輸出,最高3.3V。 * MOSFET/IGBT雙通道驅動模塊[IRS2101S](chrome-extension://oemmndcbldboiebfnladdacbdfmadadm/https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRS2101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567624e2279d)解決以下兩個問題: * 3.3V不足以驅動逆變模塊中的NMOS,故輸入外壓15V。 * 同時驅動兩片MOS管。 * 反並聯SBD(如D5、D6),是為解決後方NMOS自帶的寄生電容引流放電。 電阻本身亦能引流,但SBD正偏下幾乎是零阻抗,能滿足高頻需求。 ## 主控模塊 ### DAC * 對應開發版上之銅環,用於連接示波器。 ### JTAG * 下載口。 * 默認J-Link,程序匹配讀取快,也支持ST-LinkU、Link等等。 ### 電位器 * 即10K可調節電阻。 * 對應開發版上按鈕旁之藍色電阻。
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